Chińczycy mają problem. 80% nowych pamięci nie przechodzi testów
CXMT robi coraz większe zamieszanie na rynku DRAM, ale zaawansowane HBM okazują się dużo trudniejszym przeciwnikiem. Wygląda to wręcz żałośnie.
Najnowsze doniesienia wskazują, że próbna produkcja 8-warstwowych pamięci HBM3 od chińskiego CXMT osiąga uzysk na poziomie zaledwie 25-30%. Dla porównania koreańskie SK hynix, które masowo produkuje takie układy od 2022 roku, przekroczyło już 90%. Sytuacja robi się jeszcze gorsza po przejściu przez kolejne etapy kontroli jakości - z każdych 100 testowanych układów niemal 80 ostatecznie odpada.
Największym problemem są TSV i łączenie warstw
Słabym punktem Chińczyków nie ma być sama produkcja DRAM. Kości powstające w procesie G4 klasy 17 nm radzą sobie całkiem nieźle, ale HBM wymaga znacznie bardziej skomplikowanego pakowania. Poszczególne warstwy trzeba precyzyjnie połączyć za pomocą tysięcy pionowych łączeń TSV, a następnie ułożyć i zespolić w jeden stos.
To właśnie tutaj CXMT ma tracić najwięcej układów. Co gorsza, według branżowych źródeł chińska konstrukcja korzysta z około 3000 TSV, podczas gdy HBM3 od SK hynix ma ich ponad 8000. Jednak pomimo znacznego uproszczenia procesu nadal występują problemy z pozycjonowaniem warstw, łączeniem oraz odkształcaniem krzemu.
CXMT nie składa jednak broni. Niewielkie partie pamięci trafiają już do chińskich firm, takich jak T-Head należący do Alibaby, Huawei oraz Cambricon. Na razie trudno jednak mówić o realnym zagrożeniu dla SK hynix, Samsunga i Microna. Chińczycy szybko nadrobili dystans w klasycznym DRAM, ale HBM wyraźnie pokazało, że sam dostęp do nowoczesnych procesów produkcyjnych to nie wszystko.
