Chińczycy przyspieszają. Amerykanie i Koreańczycy mają problem
CXMT coraz szybciej zmniejsza dystans. Chińczycy sięgnęli po tlenek hafnu, który ma pomóc im w dalszym zmniejszaniu tranzystorów i walce z gigantami.
Rynek pamięci DRAM od lat zdominowany jest przez trzy firmy z Korei Południowej i USA - Samsunga, SK hynix oraz Microna. Wygląda jednak na to, że coraz śmielej rozpycha się na nim chińskie CXMT. Najnowsza analiza ujawniła, że producent z Państwa Środka z powodzeniem wdrożył technologię HKMG w swoim procesie G4 oraz kościach LPDDR5X.
CXMT nadal jest z tyłu, ale dystans szybko maleje
HKMG, czyli High-k Metal Gate, zastępuje stosowany wcześniej izolator krzemowy materiałem o znacznie wyższej stałej dielektrycznej. W przypadku CXMT chodzi o tlenek hafnu (HfO₂), który pozwala skuteczniej ograniczać prądy upływu przy coraz mniejszych tranzystorach. Technologia wykorzystuje też metalową bramkę zamiast polikrzemowej, co dodatkowo poprawia sprawność i szybkość działania układu.
Proces G4 określany jest jako technologia klasy 16 nm. TechInsights ocenia, że CXMT nadal pozostaje około dwóch generacji za liderami rynku, ale firma pracuje już nad kolejnym procesem G5 klasy 15 nm. Nie ma natomiast potwierdzenia, że producent rozpoczął już przejście na węzeł 1a - taki wniosek pojawiający się w części publikacji jest obecnie jedynie spekulacją.
Postępy widać również w pamięciach dla akceleratorów sztucznej inteligencji. CXMT ma znajdować się na etapie wczesnej produkcji HBM2E z wykorzystaniem procesu G3 klasy 18 nm, natomiast HBM3 oparte na G4 trafiają już do wybranych klientów w formie próbek.
Do tego dochodzi ogromna rozbudowa fabryk. Jak podaje agencja Reuters, CXMT dysponuje obecnie mocami na poziomie około 300 tysięcy wafli miesięcznie, a nowe zakłady w Szanghaju, Hefei i potencjalnie Pekinie mogą zwiększyć je do ponad 600 tysięcy. To nadal nie oznacza technologicznego zrównania z Samsungiem, SK hynix czy Micronem, ale chiński producent przestaje być graczem, którego można ignorować.
